背散射電子（Backscattered electron -BSE）圖像會(huì )體現有關(guān)樣品材料襯度的信息。利用背散射電子探測器（BSD）獲取樣品圖像的質(zhì)量會(huì )受到很多因素的影響，如樣品的電導率，形貌，樣品成分，BSD探測器類(lèi)型以及電子器件等。

在本篇博客中，將使用同一套成像系統、*相同的探測器對同一個(gè)樣品進(jìn)行控制變量實(shí)驗，分析影響背散射電子圖像質(zhì)量的因素，這些因素包括采樣幀數、束流強度，以及工作距離、樣品倉真空度等。

掃描電鏡的背散射電子成像

背散射電子一種電子槍中電子與樣品表面原子的原子核發(fā)生彈性散射進(jìn)而被收集到的高能量反射電子。

首先，背散射電子（BSE）圖像的質(zhì)量當然取決于探測器的類(lèi)型及其電路設計，還取決于樣品的類(lèi)型以及導電性的好壞。但是如果討論使用一臺探頭型號固定的掃描電鏡觀(guān)察特定樣品（這意味著(zhù)探頭、鏡筒、樣品導電率不能改變），那么還有哪些因素會(huì )決定背散射圖像的質(zhì)量呢？