當使用掃描電鏡（SEM）觀(guān)察樣品時(shí)，隨著(zhù)時(shí)間增加，電子束可以改變或破壞樣品。樣品破壞是一種不利的影響，因為它可能會(huì )改變或甚至毀壞想要觀(guān)察的細節，從而改變電鏡檢測結果和結論。在這篇博客中，將解釋導致樣品破壞的原因，以及如何緩解這一過(guò)程。

掃描電鏡（SEM）中，使用聚焦電子束掃描樣品的表面獲取信號后續處理來(lái)產(chǎn)生圖像。電子由電子槍產(chǎn)生并通過(guò)高壓加速獲得更高能量，通過(guò)電磁透鏡使其匯聚。加速電壓一般在1kV至30kV范圍內，終作用于樣品的掃描電鏡束流在納安數量級。

經(jīng)過(guò)高壓加速的電子與樣品表面相互作用，對于不導電樣品，這種相互作用可能損傷樣品和破壞樣品。該破壞過(guò)程可以通過(guò)樣品表面產(chǎn)生的裂紋的形式看出，或者看起來(lái)材料像是熔化或沸騰的。材料破壞的速度隨加速電壓、觀(guān)察束流和放大倍數的變化而變化。

圖1：不同類(lèi)型非導電樣品的破壞