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背散射電子(BSE)是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子(BSE)的產(chǎn)率,即出射的背散射電子(BSE)數與入射電子數之比,取決于樣品平均原子序數:平均原子序數越高,或元素越重,襯度就越亮。在飛納臺式掃描電鏡中,背散射電子是通過(guò)放置在樣品上方的四分割半導體探測器檢測到的。在這篇博客中,將解釋什么是半導體探測器,以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測背散射電子。
背散射電子的發(fā)射
當入射電子擊中樣品表面時(shí),入射電子與原子的原子核相互作用,并偏離其軌跡,如圖1所示。
圖1:入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖
如果條件合適,入射電子可以被散射回來(lái),并脫離樣品表面,保持其高能量。一般來(lái)說(shuō),較重的元素,因為它們的原子核較大,可以比較輕的元素更強烈地偏轉入射電子。因此,在掃描電鏡圖像中,像銀這樣的重元素(原子序數為47)與原子序數為14的輕元素(如硅)相比顯得更加明亮,因為更多的背散射電子從樣品表面發(fā)射出來(lái)。
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