氫氧化鉀蝕刻 （KOH）是制造微型器件的一個(gè)重要工藝，用于從硅片上去除材料。選擇性地蝕刻硅片的某些部分，用一層二氧化硅或掩膜來(lái)保護剩下的部分。然而，殘留物的存在成為這種技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn)，因為它會(huì )對器件的制造過(guò)程產(chǎn)生負面影響。在這篇博客中，我們提出了一種利用蝕刻殘留物的方法，將其作為后續蝕刻的掩膜，以制造兩層微結構。我們還提供了如何有效地利用掃描電鏡SEM對這些微結構進(jìn)行成像的例子。

KOH化學(xué)硅蝕刻技術(shù)

蝕刻是微加工中一個(gè)非常重要和關(guān)鍵的過(guò)程，在此過(guò)程中，材料通過(guò)蝕刻劑在硅片表面進(jìn)行化學(xué)去除。蝕刻有兩種: 濕蝕刻，蝕刻劑是液體，和干蝕刻，蝕刻劑是等離子體。干蝕刻是各向異性的，因此在蝕刻材料中形成垂直側壁，如圖1a所示。在另一方面，濕蝕刻劑通常是各向同性，這意味著(zhù)蝕刻在各個(gè)方向都是均勻的，產(chǎn)生圓壁和削弱效果，如圖1b所示。

KOH是一種液相蝕刻劑，在晶體平面上是各向異性的。因此，它對硅片的晶體取向很敏感，產(chǎn)生梯形截面腔，如圖1c所示。KOH蝕刻的主要缺點(diǎn)之一是殘留物的沉積，這是由蝕刻劑和被移出材料之間的相互作用所造成的: 是這項技術(shù)zui薄弱的一點(diǎn)。

圖1: 生成的基體橫截面示意圖，(a) 各向異性的侵蝕，(b)一個(gè)*各向同性的侵蝕，(c)一個(gè)濕蝕刻的各向異性腐蝕劑