現代掃描電鏡的發(fā)展及其在材料科學(xué)中的應用
更新時(shí)間：2017-01-13 點(diǎn)擊量：5088
介紹了掃描電子顯微鏡的工作原理和特點(diǎn),特別是近幾年發(fā)展起來(lái)的環(huán)境掃描電鏡(ES2EM)及其附帶分析部件如能譜儀、EBSD裝置等的原理、特點(diǎn)和功能,并結合鋼鐵材料研究展望了其應用前景。
1、掃描電鏡原理
掃描電鏡(ScanningElectronMicroscope,簡(jiǎn)寫(xiě)為SEM)是一個(gè)復雜的系統,濃縮了電子光學(xué)技術(shù)、真空技術(shù)、精細機械結構以及現代計算機控制技術(shù)。成像是采用二次電子或背散射電子等工作方式,隨著(zhù)掃描電鏡的發(fā)展和應用的拓展,相繼發(fā)展了宏觀(guān)斷口學(xué)和顯微斷口學(xué)。
掃描電鏡是在加速高壓作用下將電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過(guò)多級電磁透鏡匯集成細小(直徑一般為1～5nm)的電子束(相應束流為10-11～10-12A)。在末級透鏡上方掃描線(xiàn)圈的作用下,使電子束在試樣表面做光柵掃描(行掃+幀掃)。入射電子與試樣相互作用會(huì )產(chǎn)生二次電子、背散射電子、X射線(xiàn)等各種信息。這些信息的二維強度分布隨試樣表面的特征而變(這些特征有表面形貌、成分、晶體取向、電磁特性等等),將各種探測器收集到的信息按順序、成比率地轉換成視頻信號,再傳送到同步掃描的顯像管并調制其亮度,就可以得到一個(gè)反應試樣表面狀況的掃描圖像[1]。如果將探測器接收到的信號進(jìn)行數字化處理即轉變成數字信號,就可以由計算機做進(jìn)一步的處理和存儲。
掃描電鏡主要是針對具有高低差較大、粗糙不平的厚塊試樣進(jìn)行觀(guān)察,因而在設計上突出了景深效果,一般用來(lái)分析斷口以及未經(jīng)人工處理的自然表面。掃描電鏡的主要特征如下:
(1)能夠直接觀(guān)察大尺寸試樣的原始表面;
(2)試樣在樣品室中的自由度非常大;
(3)觀(guān)察的視場(chǎng)大;
(4)圖像景深大,立體感強;
(5)對厚塊試樣可得到高分辨率圖像;
(6)輻照對試樣表面的污染小;
(7)能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀(guān)察(如動(dòng)態(tài)拉伸、壓縮、彎曲、升降溫等);
(8)能獲得與形貌相對應的多方面信息;
(9)在不犧牲掃描電鏡特性的情況下擴充附加功能,如微區成分及晶體學(xué)分析。
傳統掃描電鏡的主體結構
2、近代掃描電鏡的發(fā)展
掃描電鏡的設計思想早在1935年便已提出,1942年在實(shí)驗室制成*臺掃描電鏡,但因受各種技術(shù)條件的限制,進(jìn)展一直很慢。1965年,在各項基礎技術(shù)有了很大進(jìn)展的前提下才在英國誕生了*臺實(shí)用化的商品儀器。此后,荷蘭、美國、西德也相繼研制出各種型號的掃描電鏡,日本二戰后在美國的支持下生產(chǎn)出掃描電鏡,中國則在20世紀70年代生產(chǎn)出自己的掃描電鏡。前期近20年,掃描電鏡主要是在提高分辨率方面取得了較大進(jìn)展,80年代末期,各廠(chǎng)家的掃描電鏡的二次電子像分辨率均已達到4.5nm。在提高分辨率方面各廠(chǎng)家主要采取了如下措施:
(1)降低透鏡球像差系數,以獲得小束斑;
(2)增強照明源即提高電子槍亮度(如采用LaB6或場(chǎng)發(fā)射電子槍);
(3)提高真空度和檢測系統的接收效率;
(4)盡可能減小外界振動(dòng)干擾。
目前,采用鎢燈絲電子槍掃描電鏡的分辨率zui高可以達到3.5nm;采用場(chǎng)發(fā)射電子槍掃描電鏡的分辨率可達1nm。到20世紀90年代中期,各廠(chǎng)家又相繼采用計算機技術(shù),實(shí)現了計算機控制和信息處理。
2.1、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
采用場(chǎng)致發(fā)射電子槍代替普通鎢燈絲電子槍,這項技術(shù)從1968年就已開(kāi)始應用,由于該電子槍的亮度(即發(fā)射電子的能力)大為提高,因而可得到很高的二次電子像分辨率。采用場(chǎng)發(fā)射電子槍需要很高的真空度,在高真空度下由于電子束的散射更小,其分辨率進(jìn)一步得到提高。近幾年來(lái),各廠(chǎng)家采用多級真空系統(機械泵+分子泵+離子泵),真空度可達10-7Pa。同時(shí),采用磁懸浮技術(shù),噪音振動(dòng)大為降低,燈絲壽命也有增加。束流穩定度在12h內<0.8%。場(chǎng)致發(fā)射掃描電鏡的特點(diǎn)是二次電子像分辨率高,如果采用低加速電壓技術(shù),在TV狀態(tài)下背散射電子(BSE)成像良好,對于未噴涂非導電樣品也可得到高倍像?？梢灶A期,場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡將對半導體器件、精密陶瓷材料、氧化物材料等的發(fā)展起到很大的作用。
2.2、分析型掃描電鏡及其附件
所謂分析型掃描電鏡即是指將掃描電鏡配備多種附加儀器,以便對被測試樣進(jìn)行多種信息的分析,其附件一般有如下幾種。
2.2.1 能譜儀附件
能譜儀(即X射線(xiàn)能量色散譜儀,簡(jiǎn)稱(chēng)EDS)通常是指X射線(xiàn)能譜儀。自能譜儀在20世紀70年代末和80年代初期普遍推廣以來(lái),首先是在掃描電鏡和電子探針?lè )治鰞x器上得到應用,其優(yōu)點(diǎn)是可以分析微小區域(幾個(gè)微米)的成分,并且可以不用標樣。能譜儀收集譜線(xiàn)時(shí)一次即可得到可測的全部元素,因而分析速度快,另外,在掃描電鏡所觀(guān)察的微觀(guān)領(lǐng)域中,一般并不要求所測成分具有很高的度,所以,掃描電鏡配備能譜儀得到了廣大用戶(hù)的認可,并且其無(wú)標樣分析的度能勝任常規研究工作。目前,的采用超導材料生產(chǎn)的能譜儀,分辨率達到了5～15eV,已超過(guò)了25eV分辨率的波譜儀,這是目前能譜儀發(fā)展的zui高水平。
能譜儀主要是用來(lái)分析材料表面微區的成分,分析方式有定點(diǎn)定性分析、定點(diǎn)定量分析、元素的線(xiàn)分布、元素的面分布。例如夾雜物的成分分析、兩個(gè)相中元素的擴散深度、多相顆粒元素的分布情況。其特點(diǎn)是分析速度快,作為掃描電鏡的輔助工具可在不影響圖像分辨率的前提下進(jìn)行成分分析。分析元素范圍為B5～U92?？蓽y質(zhì)量分數0.01%以上的重元素,對0.5%以上的元素有比較準確的結果,主元素的測量相對誤差在5%左右。像B、C、N、O這些超輕元素則跟波譜儀一樣,檢測靈敏度較低,難以得到好的定量結果。目前采用超薄窗口甚至是無(wú)窗口的探測器,對B、C、N、O檢測的靈敏度有較大的提高。
2.2.2 EBSD附件
早在20世紀70年代中期,有些材料工作者在掃描電鏡上發(fā)現了背散射電子的衍射現象,由于這些衍射花樣與所測單晶體的晶體結構有關(guān),便將其用作材料的結構研究。直到90年代中期,有些廠(chǎng)家針對背散射電子衍射作用制作了專(zhuān)門(mén)的探測器并引進(jìn)計算機技術(shù),形成了背散射電子衍射分析技術(shù),這就是我們通常說(shuō)的EBSD(電子背散射衍射)。EBSD主要可做單晶體的物相分析,同時(shí)提供花樣質(zhì)量、置信度指數、彩色晶粒圖,可做單晶體的空間位向測定、兩顆單晶體之間夾角的測定、可做特選取向圖、共格晶界圖、特殊晶界圖,同時(shí)提供不同晶界類(lèi)型的數量和相對比例,即多晶粒夾角的統計分析、晶粒取向的統計分析以及它們的彩色圖和直方統計圖,還可做晶粒尺寸分布圖,將多顆單晶的空間取向投影到極圖或反極圖上可做二維織構分析,也可做三維織構即ODF分析。
EBSD會(huì )因測試條件而受到各種限制。只有在所測單晶體完整并且沒(méi)有應力的情況下才會(huì )產(chǎn)生背散射衍射花樣,試樣必須平整并且始終要保持與入射電子70°的空間位向關(guān)系,這樣才能保證衍射錐面向接收的探測器,否則,探測器接收不到衍射的信號。也就是說(shuō)當試樣存在應力時(shí)不宜做EBSD分析,試樣粗糙不平時(shí)也不能做EBSD分析。另外,背散射電子的信息來(lái)自于試樣表層幾個(gè)納米的深度、幾個(gè)微米的寬度,因而,EBSD只能做幾個(gè)微米以上大小晶粒的分析。諸如析出相及晶界相之類(lèi)的分析,采用EBSD則難以收集到衍射花樣。也就是說(shuō)EBSD面向微米級的晶粒,主要是用做微米級的機理研究。而X射線(xiàn)衍射儀主要是針對大塊試樣和粉末壓塊試樣,并且對有應力的試樣仍可進(jìn)行物相分析和織構分析,可測定應力的大小,這是EBSD力所不及的。
2.2.3 波譜儀附件
波譜儀(即X射線(xiàn)波長(cháng)色散譜儀,簡(jiǎn)稱(chēng)WDS)本是隨著(zhù)電子探針的發(fā)明而誕生的,它是電子探針的核心部件,用作成分分析。成分分析的原理可用λ=(d/R)L公式表示。λ是電子束激發(fā)試樣時(shí)產(chǎn)生的X射線(xiàn)波長(cháng),跟元素有關(guān);d是分光晶體的面間距,為已知數;R是波譜儀聚焦園的半徑,為已知數;L是X射線(xiàn)發(fā)射源與分光晶體之間的距離。對于不同的L則有不同的X射線(xiàn)波長(cháng),根據X射線(xiàn)波長(cháng)就可得知是什么元素。因此,波譜儀是通過(guò)機械裝置的運動(dòng)改變距離L來(lái)實(shí)現成分分析。將波譜儀裝在掃描電鏡上,這是借用電子探針的成分分析功能。與能譜儀相比較,波譜儀的檢測靈敏度更高,在電子探針的理想工作條件下能達到100×10-6的檢測能力。
但波譜儀對分析條件要求苛刻,如電子束流要大于0.1μA,樣品要求非常平整并且只能水平放置,準確的成分定量分析還需要相關(guān)的標準樣品并在相同工作條件下作對比分析,對主機的穩定度也要求*。電子探針在設計上對X射線(xiàn)取出角要求很大,這是因為,在大的取出角條件下,電子束激發(fā)的X射線(xiàn)在試樣內部經(jīng)過(guò)的路程短,被試樣本身的吸收就會(huì )小,這才能保證有較大的檢測信號,所以,有的電子探針廠(chǎng)家采用在物鏡上穿孔的方式來(lái)獲得大的取出角,還有的電子探針廠(chǎng)家采用倒易透鏡的方式來(lái)獲得大的取出角。
但對物鏡的任何損害都會(huì )導致二次電子像分別率下降,所以,掃描電鏡廠(chǎng)家不會(huì )去迎合成分分析而變通物鏡,而犧牲空間分辨率這一具有掃描電鏡特征的主要性能指標,只能采用較低的X射線(xiàn)取出角,這也就是掃描電鏡和電子探針本質(zhì)上的區別。掃描電鏡在波譜儀要求的大電流工作條件下,不可能得到高空間分辨率的二次電子像。另外,掃描電鏡的分析試樣通常為粗糙面,難以滿(mǎn)足波譜儀對試樣的各種要求,這是波譜儀在掃描電鏡上應用的局限性。
3、現代掃描電鏡的發(fā)展
近代掃描電鏡的發(fā)展主要是在二次電子像分辨率上取得了較大的進(jìn)展。但對不導電或導電性能不太好的樣品還需噴金后才能達到理想的圖像分辨率。隨著(zhù)材料科學(xué)的發(fā)展特別是半導體工業(yè)的需求,要盡量保持試樣的原始表面,在不做任何處理的條件下進(jìn)行分析。早在20世紀80年代中期,便有廠(chǎng)家根據新材料(主要是半導體材料)發(fā)展的需要,提出了導電性不好的材料不經(jīng)過(guò)任何處理也能夠進(jìn)行觀(guān)察分析的設想,到90年代初期,這一設想就已有了實(shí)驗雛形,90年代末期,已變成比較成熟的技術(shù)。其工作方式便是現在已為大家所接受的低真空和低電壓,zui近幾年又出現了模擬環(huán)境工作方式的掃描電鏡,這就是現代掃描電鏡領(lǐng)域出現的新名詞“環(huán)掃”,即環(huán)境掃描電鏡。
3.1、低電壓掃描電鏡
在掃描電鏡中,低電壓是指電子束流加速電壓在1kV左右。此時(shí),對未經(jīng)導電處理的非導體試樣其充電效應可以減小,電子對試樣的輻照損傷小,且二次電子的信息產(chǎn)額高,成像信息對表面狀態(tài)更加敏感,邊緣效應更加顯著(zhù),能夠適應半導體和非導體分析工作的需要。但隨著(zhù)加速電壓的降低,物鏡的球像差效應增加,使得圖像的分辨率不能達到很高,這就是低電壓工作模式的局限性。
3.2、低真空掃描電鏡
低真空為是為了解決不導電試樣分析的另一種工作模式。其關(guān)鍵技術(shù)是采用了一級壓差光欄,實(shí)現了兩級真空。發(fā)射電子束的電子室和使電子束聚焦的鏡筒必須置于清潔的高真空狀態(tài),一般用1個(gè)機械泵和擴散泵來(lái)滿(mǎn)足之。而樣品室不一定要太高的真空,可用另一個(gè)機械泵來(lái)實(shí)現樣品室的低真空狀態(tài)。當聚焦的電子束進(jìn)入低真空樣品室后,與殘余的空氣分子碰撞并將其電離,這些離化帶有正電的氣體分子在一個(gè)附加電場(chǎng)的作用下向充電的樣品表面運動(dòng),與樣品表面充電的電子中和,這樣就消除了非導體表面的充電現象,從而實(shí)現了對非導體樣品自然狀態(tài)的直接觀(guān)察,在半導體、冶金、化工、礦產(chǎn)、陶瓷、生物等材料的分析工作方面有著(zhù)比較突出的作用。
3.3、環(huán)境掃描電鏡(ESEM)
上述低真空掃描電鏡樣品室zui高低真空壓力為400Pa,現在有廠(chǎng)家使用技術(shù),可使樣品室的低真空壓力達到2600Pa,也就是樣品室可容納分子更多,在這種狀態(tài)下,可配置水瓶向樣品室輸送水蒸氣或輸送混合氣體,若跟高溫或低溫樣品臺聯(lián)合使用則可模擬樣品的周?chē)h(huán)境,結合掃描電鏡觀(guān)察,可得到環(huán)境條件下試樣的變化情況。環(huán)掃實(shí)現較高的低真空,其核心技術(shù)就是采用兩級壓差光柵和氣體二次電子探測器,還有一些其它相關(guān)技術(shù)也相繼得到完善。它是使用1個(gè)分子泵和2個(gè)機械泵,2個(gè)壓差(壓力限制)光柵將主體分成3個(gè)抽氣區,鏡筒處于高真空,樣品周?chē)鸀榄h(huán)境狀態(tài),樣品室和鏡筒之間存在一個(gè)緩沖過(guò)渡狀態(tài)。使用時(shí),高真空、低真空和環(huán)境3個(gè)模式可根據情況任意選擇,并且在3種情況下都配有二次電子探測器,都能達到3.5nm的二次電子圖像分辨率。
特點(diǎn)是:
(1)非導電材料不需噴鍍導電膜,可直接觀(guān)察,分析簡(jiǎn)便迅速,不破壞原始形貌;
(2)可保證樣品在100%濕度下觀(guān)察,即可進(jìn)行含油含水樣品的觀(guān)察,能夠觀(guān)察液體在樣品表面的蒸發(fā)和凝結以及化學(xué)腐蝕行為;
(3)可進(jìn)行樣品熱模擬及力學(xué)模擬的動(dòng)態(tài)變化實(shí)驗研究,也可以研究微注入液體與樣品的相互作用等。因為這些過(guò)程中有大量氣體釋放,只能在環(huán)掃狀態(tài)下進(jìn)行觀(guān)察。
環(huán)境掃描電鏡技術(shù)拓展了電子顯微學(xué)的研究領(lǐng)域,是掃描電子顯微鏡領(lǐng)域的一次重大技術(shù)革命,是研究材料熱模擬、力學(xué)模擬、氧化腐蝕等過(guò)程的有力工具,受到了國內廣大科研工作者的廣泛關(guān)注,具有廣闊的應用前景。
4、高溫樣品臺及動(dòng)態(tài)拉伸裝置的功能
4.1、高溫樣品臺的功能
利用高溫臺在環(huán)境模式下對樣品進(jìn)行加熱并采集二次電子信號可進(jìn)行適時(shí)動(dòng)態(tài)觀(guān)察。而在普通高真空掃描電鏡和低真空掃描電鏡中,只能對極少數特殊樣品在高溫狀態(tài)下進(jìn)行觀(guān)察,并要求在加熱過(guò)程中不能產(chǎn)生氣體、不能發(fā)出可見(jiàn)光和紅外輻射,否則,會(huì )破壞電鏡的真空,并且二次電子圖像噪音嚴重,乃至根本無(wú)法成像。高溫臺配有陶瓷GSED(氣體二次電子探頭),可在環(huán)境模式下,在高達1500℃溫度下正常觀(guān)察樣品的二次電子像。加熱溫度范圍從室溫到1500℃,升溫速度每分鐘1～300℃。環(huán)境掃描電鏡的探測器可保證在足夠的成像電子采集時(shí)抑制熱信號噪音,并對樣品在高溫加熱時(shí)產(chǎn)生的光信號不敏感。而這些信號足以使其它型號掃描電鏡中使用的普通二次電子探頭和背散射電子探頭無(wú)法正常工作。
4.2、動(dòng)態(tài)拉伸裝置的功能
的動(dòng)態(tài)拉伸裝置配有內部馬達驅動(dòng)器、旋轉譯碼器、線(xiàn)性位移傳感器,由計算機進(jìn)行控制和數據采集,配合視頻數據采集系統,可實(shí)現動(dòng)態(tài)觀(guān)察和記錄?？蓮牟牧媳砻嬗^(guān)察在動(dòng)態(tài)拉伸條件下材料的滑移、塑性形變、起裂、裂紋擴展(路徑和方向)直至斷裂的全過(guò)程等。該裝置還可附帶3點(diǎn)彎曲和4點(diǎn)彎曲裝置,具有彎曲功能,從而可以研究板材在彎曲狀態(tài)下的形變、開(kāi)裂直至斷裂的情況。zui大拉伸力為2000N,3點(diǎn)彎曲zui大壓力為660N。動(dòng)態(tài)拉伸裝置可配合多種掃描電鏡工作。
5、掃描電鏡在材料研究中的應用
掃描電鏡結合上述各種附件,其應用范圍很廣,包括斷裂失效分析、產(chǎn)品缺陷原因分析、鍍層結構和厚度分析、涂料層次與厚度分析、材料表面磨損和腐蝕分析、耐火材料的結構與蝕損分析等等,結合鋼鐵材料的研究粗略列舉如下。
(1)機械零部件失效分析,可根據斷口學(xué)原理判斷斷裂性質(zhì)(如塑性斷裂、脆性斷裂、疲勞斷裂、應力腐蝕斷裂、氫脆斷裂等),追溯斷裂原因,調查斷裂是跟原材料質(zhì)量有關(guān)還是跟后續加工或使用情況有關(guān)等等。
(2)鋼鐵產(chǎn)品質(zhì)量和缺陷分析,如連鑄坯裂紋、氣泡、中心縮孔;板坯過(guò)燒導致的晶界氧化;軋制過(guò)程造成的機械劃傷、折疊、氧化鐵皮壓入;過(guò)酸洗導致的蝕坑;涂層剝落及其它缺陷等等。由于掃描電鏡的分辨率和景深比電子探針的高,因而,可從新鮮斷口上獲得更為全面的信息,如晶界碳化物、中心疏松等。
(3)利用高溫樣品臺,可以觀(guān)察材料在加熱過(guò)程中組織轉變的過(guò)程,研究不同材料在熱狀態(tài)下轉變的差異。在材料工藝性能研究方面,可以直接觀(guān)察組織形態(tài)的動(dòng)態(tài)變化,彌補了以前只能通過(guò)間接觀(guān)察方法的不足。例如,耐火材料和鐵氧體的燒結溫度都在1000℃以上,實(shí)驗中可以觀(guān)察材料的原位變化,待冷卻下來(lái)后,結合能譜儀和EBSD,進(jìn)而可以分析變化后的物相。
(4)利用拉伸樣品臺,可預先制造人工裂紋,研究在有預裂紋情況下材料對裂紋大小的敏感性以及裂紋的擴展速度,有益于材料斷裂韌性的研究。例如,鋼簾線(xiàn)因其在后續加工過(guò)程中要拉拔到0.2mm左右的直徑,對夾雜物非常敏感,因此,其煉鋼過(guò)程對夾雜物的控制要求特別嚴格。采用本儀器,可預先制作一個(gè)有夾雜物的鋼簾線(xiàn)試樣,在拉伸過(guò)程中觀(guān)察夾雜物附近鋼基的變化,直至開(kāi)裂,然后對照鋼簾線(xiàn)實(shí)物斷口,討論夾雜物類(lèi)型、形態(tài)、尺寸、分布對斷裂的影響。另外,還可研究線(xiàn)材形變跟夾雜物類(lèi)型和尺寸的關(guān)系,也可研究夾雜物對其它材料形變行為的影響。還可將試樣經(jīng)過(guò)不同介質(zhì)的腐蝕,然后裝入拉伸樣品臺做拉伸實(shí)驗,研究腐蝕條件對材料力學(xué)性能的影響。
(5)利用EBSD裝置,對汽車(chē)板等小晶粒的織構產(chǎn)品,可在軋制并退火之后,統計各種取向晶粒的比例,研究軋制和退后工藝對織構的影響。又如焊接試樣的熔合區為凝固狀態(tài)的柱狀晶,因其是定向生長(cháng),存在織構,可用EBSD得到各種取向晶粒的分布情況,并可進(jìn)行統計,這對焊接材料、焊接工藝以及焊接性能的研究又擴展到了晶體學(xué)研究的層次。再如,管線(xiàn)鋼在使用過(guò)程中可能出現選擇性腐蝕,采用形貌觀(guān)察,結合能譜儀成分分析,可以了解優(yōu)先腐蝕的因素(如夾雜物類(lèi)型、材料缺陷等);用EBSD分析,可以了解晶粒取向和組織結構跟腐蝕之間的關(guān)系。
6、結語(yǔ)
新一代環(huán)境掃描電鏡與能譜儀和EBSD配合,可在得到較好的試樣形貌像的前提下同時(shí)得到成分信息和晶體學(xué)的信息。zui近幾年實(shí)現了拉伸臺與計算機的結合,有比較完善的材料動(dòng)態(tài)拉伸掃描電鏡,研究才有可能開(kāi)展得更為深入。環(huán)境掃描電鏡真空系統和探測器等相關(guān)技術(shù)的成熟使得高溫樣品臺的應用更安全可靠?？梢灶A期,高溫樣品臺、動(dòng)態(tài)拉伸臺、能譜儀、EBSD和環(huán)境掃描電鏡組合,必將在鋼鐵材料工藝研究和品種開(kāi)發(fā)等方面發(fā)揮更大的作用。
